
四溴化碳(CBr?)作為一種高純度鹵代烴化合物,在半導體行業(yè)主要產(chǎn)生于金屬有機氣相外延(MOVPE)工藝及有機合成環(huán)節(jié)。在MOVPE技術中,四溴化碳常被用作p型摻雜劑的前驅(qū)體,通過精確控制其蒸氣濃度,向AlGaAs、InGaAs等半導體合金材料中引入碳元素,以調(diào)節(jié)材料的電學性能,滿足高頻晶體管(HBT)等器件對高摻雜濃度的需求。此外,在光刻膠剝離、精密清洗等工藝中,四溴化碳因其優(yōu)異的溶解性能,可能作為溶劑或反應中間體使用,過程中若發(fā)生泄漏或不反應,會導致其以氣體形式釋放到生產(chǎn)環(huán)境中。
值得注意的是,四溴化碳的物理特性(如熔點88~90℃、沸點190℃)使其在常溫下易升華形成蒸氣,尤其在高溫工藝環(huán)節(jié)(如晶圓沉積)中,飽和蒸氣壓可達5.32kPa(96.3℃),增加了擴散至空氣中的風險。
四溴化碳被國際化學品安全卡(ICSC)列為高毒物質(zhì),其危害主要體現(xiàn)在以下方面:
呼吸系統(tǒng)損傷:吸入高濃度四溴化碳蒸氣后,會引發(fā)劇烈咳嗽、咽痛、胸悶,嚴重時導致支氣管炎、肺炎甚至肺水腫。其對呼吸道黏膜的刺激性可造成不可逆損傷,如角膜潰瘍、喉頭水腫。
全身性中毒:經(jīng)呼吸道或皮膚吸收后,四溴化碳可通過血液分布至肝、腎等器官,導致肝細胞壞死、腎小管損傷,表現(xiàn)為黃疸、少尿等癥狀。動物實驗顯示,大鼠經(jīng)口LD??為1800mg/kg,皮下注射LD??僅298mg/kg,提示其高毒性。
半導體車間多為密閉潔凈環(huán)境,空氣循環(huán)系統(tǒng)可能導致泄漏氣體積聚。四溴化碳的職業(yè)接觸限值極低(ACGIH TWA:0.1ppm,STEL:0.3ppm),一旦超過閾值,短時間內(nèi)即可造成健康損害。實時監(jiān)測可及時觸發(fā)報警,避免群體性中毒事故。
深國安SGA系列在線式氣體檢測儀針對半導體行業(yè)的嚴苛環(huán)境,提供全流程安全監(jiān)測解決方案,具體功能如下:
檢測性能:采用進口傳感器,檢測范圍覆蓋0.01ppm~1000ppm,分辨率達0.001ppm,響應時間<10秒,可捕捉微量泄漏。
多場景適配:設備具備IP65防塵防水等級及Ex ia IIB T4 Ga防爆認證,適用于潔凈室、工藝管道接口、廢氣處理區(qū)等高危環(huán)境,支持壁掛、管道式安裝。
聯(lián)動控制:當濃度超標時,自動觸發(fā)聲光報警(110dB),并聯(lián)動排風系統(tǒng)、緊急切斷閥,阻止氣體擴散。
數(shù)據(jù)追溯:內(nèi)置存儲芯片可記錄10萬條歷史數(shù)據(jù),支持RS485/4G無線傳輸至監(jiān)控平臺,滿足FDA、SEMI等行業(yè)對數(shù)據(jù)可追溯性的要求。
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